气体在半导体外延中起到的作用

外延生长实际上主要是一个化学反应过程。硅外延生长使用的主要气源是氢气和氯硅烷类，如四氯化硅（SiCl4）、三氯甲硅烷（SiHCl3）和二氯甲硅烷（SiH2Cl2）。另外，为了降低生长温度，也经常使用硅烷作为气源。选择使用哪种气源主要由生长条件和外延层的规格来决定的，其中生长温度是选择气源种类时要考虑的重要因素。硅外延层生长速度和生长温度的关系。

贝斯特气体主要气体有汽车尾气检测标准气体、环境监测标准气、石油化工标准气、仪器仪表标准气、研制生产的标准气体已取得国家制造计量器具许可证CMC证书(国制表标物10001697号)。广泛应用于科研、医疗、环保、石油化工等领域