气体在半导体外延中起到的作用

外延生长实际上主要是一个化学反应过程。硅外延生长使用的主要气源是氢气和氯硅烷类，如四氯化硅（SiCl4）、三氯甲硅烷（SiHCl3）和二氯甲硅烷（SiH2Cl2）。另外，为了降低生长温度，也经常使用硅烷作为气源。选择使用哪种气源主要由生长条件和外延层的规格来决定的，其中生长温度是选择气源种类时要考虑的重要因素。硅外延层生长速度和生长温度的关系。

氩气是无色、无味、单原子的惰性气体，原子量为39．948，密度为 1．78kg／m3（空气密度为 1．29kg／m 3）。氩气的重量是空气的1．4倍，可在熔池上方形成一层稳定的气流层，具有良好的保护性能。另外在焊接过程中，产生的烟雾较少，便于控制焊接熔池和电弧。氩气是一种惰性气体，在常温下与其它物质均不发生化学反应，在高温下也不溶于液态金属中，故在焊接有色金属时更能显示其优越性氩气是一种单原子气体，在高温下，氩气直接离解为正离子和电子，因此能量损耗低，电弧燃烧稳定。同时分解后的正离子体积和质量较大，对阴极的冲击力很强，具有强烈的阴极破碎作用。氩气对电弧的冷却作用小，所以电弧在氩气中燃烧时，热量损耗小，稳定性比较好。氩气对电弧的热收缩效应较小，加上氩弧的电位梯度和电流密度不大，维持氩弧燃烧的电压较低，一般10V即可。故焊接时电弧拉长，其电压改变不大，电弧不易熄灭。这点对手工氩弧焊非常有利。氩气是制氧的副产品，因为氩气的沸点介于氧、氮之间，差值很小，所以在氩气中常残留一定数量的杂质。